科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
研究了寄生电感对基于常通型碳化硅（Silicon Carbide,Si C）结型场效应晶体管（Junction Field Effect Transistor,JFET）串联结构的中压直流固态断路器（Solid State Circuit Breaker,SSCB）过电压的影响，并在此基础上提出了一种SSCB的过电压抑制方法。首先介绍了基于常通型Si CJFET器件串联结构的SSCB拓扑及工作原理，建立了考虑完整回路寄生电感的Si CJFET串联结构开关过程的数学模型。其次利用MATLAB软件对数学模型进行解析计算，揭示了SSCB开关过程中寄生电感对SiC JFET器件串联运行时过电压的影响机理，并利用PSPICE仿真结果验证了理论分析的正确性。最后设计了一种适用于SSCB过电压抑制的单栅极驱动及缓冲电路，并通过SSCB实验样机验证了设计方法的有效性。
- 单位
