碲镉汞p-on-n长波异质结探测器材料的制备研究

作者：田震; 宋淑芳; 王小菊; 周立庆

来源：激光与红外, 2018, 48(06): 730-734.

• 碲镉汞
• p-on-n
• 异质结
• 垂直液相外延

报道了碲镉汞p+-on-n长波双层异质结材料和异质结台面器件的研究结果,重点研究了p+-on-n型双层异质结材料制备技术。通过水平滑舟富碲液相外延生长的方法在碲锌镉衬底上原位生长In掺杂碲镉汞n型吸收层材料,然后再采用富汞垂直液相外延技术制备p型As原位掺杂的碲镉汞cap层材料,从而获得p+-on-n型双层异质结材料,并通过湿法腐蚀、台面刻蚀以及钝化等工艺得到碲镉汞p+-on-n长波异质结台面型器件。p+-onn异质结器件结构可以有效克服少子寿命偏低等问题,在长波及甚长波波段具有更低的暗电流和更高的R0A值,这对于解决目前长波碲镉汞红外探测器暗电流大、结阻抗低的问题,提高长波及甚长波波段碲镉汞红外焦平面器件的性能具有重要的意义。

• 单位
  华北光电技术研究所