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摘要
研究了以Ag-10Pd混合粉、合金粉和核壳结构粉末分别作为导电相的电极在Al2O3陶瓷电路中的银迁移情况,也考察了Al2O3陶瓷受不同电解质浸泡对银迁移的影响。结果表明,采用合金化的银钯电极具有最佳的抗银迁移能力,其次是核壳结构的银钯结构电极。银在迁移过程中,负电极首先形成絮状析出物,从负极向正极形成树枝状析出物并逐渐长大成为粗枝和片状。电解质浸泡陶瓷对电极银迁移速度有显著影响,即使经0.01 mmol/L极低浓度的电解质浸泡后,银的迁移速度也会成倍增加。本文为高可靠性电路制造提供重要的电极材料优化方案和电路失效分析的依据。
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