动态随机存储器的故障溯源

作者：Tae Yeon Oh

来源：软件和集成电路, 2020, (04): 60-63.

DOI：10.19609/j.cnki.cn10-1339/tn.2020.04.015

<正>多种来源的漏电流和寄生电容会引起DRAM的故障,在DRAM开发期间,工程师需仔细评估这些故障模式,当然也应该考虑工艺变化对漏电流和寄生电容的影响。从20n m技术节点开始,漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常,DR AM设计中漏电流造成的问题也会导致可靠性下降。漏电流已成为DR A M器件设计中至关重要的一个考虑因素。