钛酸钡基阻变存储单元的构建及其特性

作者：郝瑞; 刘越; 刘贵山^*

来源：大连工业大学学报, 2023, 1-5.

DOI：10.19670/j.cnki.dlgydxxb.2023.7004

• 磁控溅射
• BTO薄膜
• 阻变存储单元
• 阻变性能

采用磁控溅射在低阻态Si(100)衬底上制备均匀的钛酸钡(BTO)薄膜,通过磁控溅射制备Ag电极,构建Si(100)/BTO/Ag阻变存储单元。利用XRD,SEM和AFM对不同退火温度和保温时间下的BTO薄膜结构和形貌进行表征,利用数字源表对Si(100)/BTO/Ag阻变存储单元进行阻变性能的测试。研究结果表明,退火温度750℃、保温0.5 h制备的BTO薄膜结晶度最高,薄膜表面晶体颗粒呈均匀分布,构建的Si(100)/BTO/Ag阻变存储单元阻变性能最佳,呈现出了典型的双极性开关效应。

• 单位
  大连工业大学