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摘要
本发明公开了一种基于ScAlN/AlGaN超晶格p型层的高效发光二极管及其制备方法,主要解决现有p型层中掺杂的Mg的离化率低,导致二极管发光效率不高的问题。其自下而上包括：c面蓝宝石衬底层、高温AlN成核层、n型GaN层、InxGa1#xN/AlyGa1#yN多量子阱、AlzGa1#zN电子阻挡层、p型层,其特征在于：p型层采用ScAlN/AlGaN超晶格结构,即ScAlN和AlGaN交替生长,每个ScAlN层和它上面的AlGaN层组合为一个周期,共生长10#30个周期。本发明增大了p型层中掺杂的Mg的离化率,提高了发光二极管的发光效率,可用于制做高效率的紫外和深紫外发光设备。
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