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摘要
黑硅作为一种新型光电材料，在光伏太阳能电池、光电探测器、CMOS图像传感器等领域被广泛研究，其中黑硅的光电探测技术备受关注，近些年来也取得了重要的研究进展。本文首先简单介绍了黑硅材料的结构，然后讨论了基于飞秒激光刻蚀法、湿法腐蚀、反应离子刻蚀法等方法制备的黑硅材料的性质。其次概述了基于以上方法制备的不同黑硅光电探测器的结构及性能，并讨论了黑硅器件在不同领域的应用。最后对黑硅光电探测技术进行了分析与展望，探讨了黑硅材料及器件未来的发展方向。
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单位云南大学; 昆明物理研究所
