一种LDMOS器件结构及其制备方法和性能

作者：程珍; 孙建; 何怡刚; 袁莉芬; 李兵; 佐磊; 尹柏强

来源：2020-08-20, 中国, ZL202010841155.3.

针对现有技术的不足,本发明提供一种LDMOS器件、制备工艺及性能,本发明所提供的器件利用表面的P型外延层以及渐变式的非等间距分布,对漂移区内的电场分布进行调制,显著提高器件的漂移区掺杂浓度。经仿真分析,与传统SOI-LDMOS器件相比,MSPtop-LDMOS器件的BV提高了70.8%、Ron降低了54.4%、品质因子提高了5.4倍。与此同时,该器件还具有工艺简单的特点。

• 单位
  合肥工业大学