氟掺杂对非晶硅薄膜特性的影响

作者：郑若成; 王印权; 刘佰清; 郑良晨

来源：电子与封装, 2020, 20(03): 47-49.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0310

• 非晶硅
• 薄膜
• 氟掺杂
• 介电常数

采用电容结构研究了氟(F,Flourine)掺杂非晶薄膜漏电、击穿以及温度特性。结果表明,氟掺杂钝化了非晶膜中的缺陷和悬挂键,使非晶薄膜漏电降低两个数量级,同时使击穿电压升高。掺杂非晶薄膜的漏电与温度呈指数增长,增长系数为0.0375 K-1,击穿电压随温度线性减小,系数为0.012 V·K-1。