科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
自旋转移矩磁性随机存储器（STT-MRAM）以其非易失性、速度快、数据保持时间长等优势被认为是最有潜力的新型存储技术之一。然而，由于磁性隧道结（MTJ）的温度相关性，其隧穿磁阻率（TMR）在高温下会变低，对高可靠灵敏放大器的设计提出了更高的要求。基于2T-2MTJ存储单元，设计了一款可以工作在宽温度范围内的高灵敏度放大器。在-40～125℃的温度范围内，该灵敏放大器在TMR为50%时仍具有较高的灵敏度，保证了STT-MRAM的读可靠性。
-
单位中国电子科技集团公司第五十八研究所
