Zn_2SiO_4掺杂对氧化锌压敏电阻性能的影响

作者：黄国贤; 姜胜林; 郭立; 张**; 翁俊梅

来源：电子元件与材料, 2011, 30(09): 24-26+35.

DOI：10.3969/j.issn.1001-2028.2011.09.007

• 氧化锌压敏电阻
• Zn2SiO4掺杂
• 晶粒
• 电学性能

采用普通陶瓷工艺制备了Zn2SiO4掺杂的氧化锌压敏电阻,研究了Zn2SiO4掺杂量对氧化锌压敏电阻的致密度,晶粒微观结构,小电流性能和通流能力的影响。结果表明:当Zn2SiO4掺杂量达到0.75%(摩尔分数)时,氧化锌压敏电阻晶粒致密均匀;电学性能得到改善,压敏电压梯度和非线性系数分别高达438 V/mm和85,漏电流为0.15μA,样品在耐受5 kA电流下的8/20μs脉冲电流波后,残压比和压敏电压变化率分别为2.0和4.0%。

• 单位
  华中科技大学