结构参数对各向异性磁电阻(AMR)磁场传感器性能的影响

作者：王华昌; 罗科; 李秀霞^*; 余涛; 孙成; 冯伟; 张文旭

来源：磁性材料及器件, 2023, 54(03): 72-76.

DOI：10.19594/j.cnki.09.19701.2023.03.012

• AMR磁场传感器
• NiFe薄膜
• Baber电极
• 输出电压
• 灵敏度

采用磁控溅射工艺制备NiFe合金薄膜，通过电子束蒸发制备Barber电极，获得了各向异性磁电阻(AMR)线性磁场传感器。通过材料芯片技术，系统研究了图形化的NiFe薄膜宽度、厚度以及Barber电极角度、间距等因素对传感器性能的影响。测试结果表明，在设计的工艺条件下，NiFe薄膜宽度为36μm、厚度为28 nm、Barber电极角度为40°以及电极间距为10μm时，该磁场传感器在磁场范围为±5 G内灵敏度最大，达到1.17 mV/(V·G)。研究工作为进一步发展基于AMR效应的角度及磁场传感器芯片提供参考。

• 单位
  电子科技大学; 四川永星电子有限公司