摘要
传统的浪涌保护电路对元器件的功率等级要求较高,导致整个电路结构的性能降低,硬件成本提高.设计了一种低成本带吸收电容防浪涌的电路.通过理论分析、软件仿真以及实验测试证明了该电路结构采用更低功率等级的金属-氧化物半场效晶体管(metal-oxidesemiconductor field-effect transistor,MOSFET),能在降低浪涌保护电路成本的同时,提升浪涌电路电压等级以及电路的稳定性.
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单位上海大学; 自动化学院