SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响

作者：贾辉; 陈一仁; 孙晓娟; 黎大兵; 宋航; 蒋红; 缪国庆; 李志明

来源：发光学报, 2012, (08): 879-882.

• SiO2纳米颗粒
• a-AlGaN
• MSM紫外探测器 SiO2 nanoparticles
• a-plane AlGaN
• MSM ultraviolet photodetectors

采用对a-AlGaN表面沉积SiO2纳米颗粒制备工艺得到了金属-半导体-金属(MSM)结构的a-AlGaN紫外探测器。与没有沉积SiO2纳米颗粒的探测器件相比,沉积SiO2纳米颗粒使器件的暗电流下降了一个数量级,峰值光谱响应度提高了近3个数量级,紫外/可见抑制比大于103。

• 单位
  发光学及应用国家重点实验室; 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所; 中国科学院研究生院