模拟乏燃料短段673～873 K下的氧化行为

作者：孙艳东; 袁中伟; 晏太红; 郑卫芳^*

来源：原子能科学技术, 2022, 56(07): 1236-1242.

• 氧化挥发
• 模拟乏燃料短段
• 氧化速率
• 氧化产物

氧化挥发是一种具有良好应用前景的后处理首端技术，该技术不仅能有效实现氚的管控还可简化后续处理流程。为预测乏燃料的氧化行为并为氧化挥发技术提供参考，本文利用旋转式氧化挥发装置，对模拟乏燃料短段在673～873 K下的氧化行为进行了研究。结果表明，673～823 K范围内，随着温度的升高，模拟乏燃料短段氧化速率、氧化产物(小于200μm)粒径均会增加。823 K下，由于包壳内部分芯块未能完全反应，所得转化率只有86%。此外，当温度低于773 K时，模拟乏燃料短段氧化不够充分。因此，673～873 K范围内，乏燃料短段最佳氧化挥发温度为773 K。

• 单位
  中国原子能科学研究院