4H-SiC材料干法刻蚀工艺的研究

作者：许龙来; 钟志亲

来源：电子科技, 2019, 32(02): 1-8.

DOI：10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2019.02.001

• 碳化硅
• 电感耦合等离子体-反应离子刻蚀
• 粗糙度
• 压强
• 功率
• SF6/O2

鉴于SiC材料具有很强的稳定性以及湿法刻蚀的种种缺点,目前主要使用干法刻蚀来刻蚀SiC材料。但是干法刻蚀后样品表面的粗糙度对器件的性能有一定的影响。针对这一问题,采用电感耦合等离子体-反应离子刻蚀技术,对SiC材料进行SF6/O2混合气体和SF6/CF4/O2混合气体的刻蚀,并且探究了压强、ICP功率和混合气体比例对样品表面粗糙度的影响。实验结果表明使用SF6/O2混合气体刻蚀后,样品的表面平整度较好。在一定RIE功率条件下,当ICP功率为700 W、压强为20 m T和SF6/O2为50/40 sccm时,样品表面的粗糙度最小。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学