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摘要
设计了一种用于GaN高电子迁移率晶体管（High-Electron-Mobility Transistor, HEMT）器件栅驱动芯片的快速响应低压差线性稳压器（Low Dropout Regulator, LDO）电路，可为高速变化的数字电路提供快速响应的供电电压。该电路采用动态偏置结构，通过在大负载发生时给误差放大器增加一个额外的动态偏置结构，来加快输出端的瞬态响应速度。基于0.18μm BCD工艺，完成了电路设计验证。仿真结果显示LDO瞬态响应时间小于0.5μs，可满足频率达1 MHz的GaN HEMT器件栅驱动芯片应用要求。
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