原子层沉积法制备Al2O3薄膜研究近况和发展趋势

作者：段珊珊; 施昌勇; 杨丽珍; 刘忠伟; 张海宝; 陈强^*

来源：真空, 2021, 58(06): 13-20.

DOI：10.13385/j.cnki.vacuum.2021.06.03

• 原子层沉积
• Al2O3薄膜
• 阻隔层
• 钝化层
• 介电层

原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)是基于自限制界面反应的薄膜生长技术。采用原子层技术可以制备结构致密、高保形、低缺陷密度、性能优异、均匀性好的薄膜。氧化铝是原子层沉积最常见的薄膜(ALD-Al2O3),具有高透明度、高禁带宽度、高介电常数、高阻隔性以及良好的化学和热稳定性,因而作为钝化层、气体渗透阻隔层和栅极介电层等广泛应用于太阳能电池钝化、OLED封装、有机太阳能电池介质层、印刷电子和微电子封装等领域。本文综述了ALD-Al2O3原理、在线诊断和应用发展现状,主要包括氧化铝薄膜的生长机理、单体选择、沉积方法、原位诊断,同时对ALD-Al2O3应用以及未来的发展趋势进行预测。

• 单位
  北京印刷学院; 北京服装学院