薄膜晶体管中高性能HfO2的低温制备研究

作者：陶瑞强; 姚日晖; 朱峰; 胡诗犇; 刘贤哲; 曾勇; 陈建秋; 郑泽科; 蔡炜; 宁洪龙; 徐苗; 兰林锋; 王磊; 彭俊彪

来源：真空科学与技术学报, 2016, 36(08): 862-865.

DOI：10.13922/j.cnki.cjovst.2016.08.03

• 氧化铪
• 栅介质层
• 电子束蒸镀
• 退火
• 薄膜晶体管

采用电子束蒸镀在ITO上沉积Hf O2,研究了不同退火工艺对其电学性能的影响。当450℃时O2退火,Hf O2的漏电迅速增加,通过X射线衍射发现Hf O2有单斜相等结晶生成。450℃下N2退火,Hf O2结构则没有明显晶体和晶界结构,且N2气氛退火的Hf O2漏电约为O2气氛退火的1/10。

• 单位
  华南理工大学