二氧化硅基质中包埋硅纳米晶薄膜的光学性质研究

作者：支壮志; 祁阳; 杨华哲; 魏葳

来源：真空科学与技术学报, 2006, (05): 381-384.

DOI：10.13922/j.cnki.cjovst.2006.05.010

• 光致发光
• PECVD
• 拉曼光谱分析
• 声子 PL
• Raman spectroscopy analysis
• Phonon

本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,在不同的SiH4和CO2气体流量比率(GFRRSC)下,制备了基质中包埋硅纳米晶的二氧化硅薄膜。微区拉曼光谱计算结果表明,随着GFRRSC降低,硅晶粒平均尺寸逐渐减小。吸收光谱的计算结果表明,由量子限制效应所致光学带隙随着GFRRSC降低而逐渐展宽。在1.4 eV~2.4 eV能量区间发现多个发光峰。在低温下(80 K)观测到声子参与的发射光谱,表明在1.7 eV附近的发光峰源于Si-O振动模式参与的Si-SiO2界面的跃迁。

• 单位
  东北大学