磁控溅射技术制备硅纳米晶多层膜及微观结构表征

作者：赵志明; 马二云; 张晓静; 田亚萍; 屈直; 丁宇; 曹智睿; 白力静; 张国君; 蒋百灵

来源：功能材料, 2012, (06): 732-735.

• 磁控溅射技术
• Si/Si1-xNx多层膜
• Si纳米晶
• Si3N4纳米晶
• TEM magnetron sputtering
• Si/Si1-xNx multilayers
• Si3N4 nanocrystallines
• Si nanocrystallines
• TEM

在室温下,分别利用常规磁控溅射和反应磁控溅射技术交替沉积Si薄膜和Si1-xNx薄膜在单晶硅基体上制备了Si/Si1-xNx纳米多层膜。接下来,在高温下对Si/Si1-xNx多层膜进行退火诱发各层中形成硅纳米晶。研究了Si1-xNx层厚度和N2流量沉积对Si/Si1-xNx多层膜中Si量子点形成的影响。TEM检测结果表明,N2流量为2.5mL/min时沉积的多层膜退火后形成了尺寸为20～30nm的等轴Si3N4纳米晶;N2流量为5.0mL/min时沉积的多层膜退火后在Si层和Si1-xNx多层中均形成了硅纳米晶,而在7.5mL/min N2流量下沉积的Si/Si1-xNx多层膜退火后仅在Si层...

• 单位
  西安理工大学