Ag元素掺杂Bi₂S₃薄膜的制备及其光电性能研究

作者：王家钰; 周威; 谭海军; 龚琪芯; 黎燕; 钟福新

来源：化工新型材料, 2022, 50(08): 100-105.

DOI：10.19817/j.cnki.issn1006-3536.2022.08.019

• 银掺杂
• 硫化铋
• 光电性能

利用连续离子沉积法和水热法在FTO基底上制备了Ag+掺杂Bi2S3薄膜（Ag-Bi2S3）,探究了Ag+浓度对Bi2S3薄膜光电性能的影响。并用扫描电镜、能谱、X射线衍射（XRD）、紫外-可见分光光度计（UV-Vis DRS）等手段对其进行表征。结果表明：Ag-Bi2S3薄膜局部出现由较短的条状晶体聚集形成的花辫带，并有Ag元素的能谱峰，Ag+掺杂进Bi2S3薄膜；在Ag-Bi2S3的XRD衍射峰中出现AgBiS2相的衍射峰，表明Ag元素在Ag-Bi2S3薄膜中的存在形式为AgBiS2;UV-Vis DRS测试结果显示Bi2S3薄膜和Ag-Bi2S3薄膜的禁带宽度分别为1.65eV和1.47eV;Ag-Bi2S3薄膜的光电压和光电流分别为0.2013V和0.059mA/cm2,比Bi2S3薄膜的光电压和光电流分别提高了30.6%与168.1%;Ag-Bi2S3的载流子浓度4.83×1014cm-3,比Bi2S3的8.17×1012cm-3提升了两个数量级。

• 单位
  生物工程学院; 桂林理工大学