Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体有望在5 nm以下节点替代Si作为场效应管的沟道材料，其与高k栅介质界面质量对器件性能极为关键。本文分别在InAs和InP衬底上通过H218O蒸汽预处理表面，再利用原子层沉积技术原位制备了ZrO2薄膜，通过角分辨X射线光电子能谱和飞行时间二次离子质谱技术系统性地研究了退火前后界面处衬底元素原子和氧原子扩散行为，并讨论了物理机制。本工作将加深Ⅲ-Ⅴ/高k栅介质界面在材料学上的理解。
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