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摘要
针对锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)，采用半导体三维器件数值仿真工具，建立单粒子效应三维损伤模型，研究SiGe HBT单粒子效应的损伤机理，以及空间极端环境与器件不同工作模式耦合作用下的单粒子效应关键影响因素。分析比较不同条件下离子入射器件后，各端口瞬态电流的变化情况，仿真实验结果表明，不同工作电压下，器件处于不同极端温度、不同离子辐射环境，其单粒子瞬态的损伤程度有所不同，这与器件内部在不同环境下的载流子电离情况有关。
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单位中国科学院新疆理化技术研究所; 西安电子科技大学; 西北核技术研究所
