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摘要
本发明涉及一种部分本征GaN帽层RESURF#GaN基肖特基势垒二极管的制备方法,该制备方法包括：选取衬底层；在衬底层上外延GaN材料形成缓冲层；在缓冲层上外延GaN材料形成沟道层；在沟道层上外延AlGaN材料形成势垒层；在势垒层上外延GaN材料形成顶部本征GaN帽层；刻蚀顶部本征GaN帽层形成部分本征GaN帽层；在势垒层上制作阳极欧姆接触和阴极欧姆接触；在势垒层上制作阳极肖特基接触；在势垒层、部分本征GaN帽层、阴极欧姆接触、阳极肖特基接触表面淀积绝缘材料,形成钝化层。本发明实施例在势垒层上引入部分本征GaN帽层,并采用阳极欧姆接触与阳极肖特基接触共同组成复合阳极,制备出具有低正向开启电压、高反向击穿电压的GaN基肖特基势垒二极管。
- 单位
