一种微晶SOI的制作及电荷存储性能研究

作者：黄志强; 沈彦宇; 马雪涛; 顾宇杰

来源：微电子学, 2019, 49(06): 847-857.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.180538

• 绝缘体上硅
• 复合材料
• 介电
• 电荷存储
• 热刺激放电

运用高温熔凝工艺制作了一种Si-(SiO2-Ta2O5-B2O3-RO)-Si微晶SOI。实验结果显示,该SOI样品的顶层、底层的单晶硅片结合紧密,中间层为微晶结构,具有良好的绝缘、介电性能;恒压正负电晕充电可以在中间绝缘层建立无源空间电场,获得与栅压相近的表面电位;热刺激放电曲线显示,电流峰位于T=513 K附近且呈正负对称,捕获电荷的能阱深度约为1.22 eV。这表明该微晶SOI是一种具有电荷存储能力的新型SOI复合材料。

• 单位
  同济大学; 常州晶麒新材料科技有限公司