摘要
因具有较高的耐热性和较长的电子扩散长度,无铅钙钛矿Cs Bi3I10备受关注.然而,由于二维结构Cs Bi3I10钙钛矿的表面极其粗糙且存在大量针孔,导致Cs Bi3I10钙钛矿器件性能不高.本文报道了一种利用空间限域生长(SCG)获得高平滑度、高结晶度和致密Cs Bi3I10钙钛矿薄膜的方法.相对于传统旋涂法制备的探测器,采用SCG方法获得的金属-半导体-金属结构Cs Bi3I10光电探测器(PDs)具有更高的光电流、更低的暗电流,以及更大的开/关比.此外,在长时间测试下,未封装的Cs Bi3I10钙钛矿PDs的光电流没有衰减;在空气中储存30天后,器件的性能也没有明显的退化,表现出了超高的稳定性.研究表明空间限域生长方法为制备高质量无铅钙钛矿开辟了一条新途径,有望在发光二极管、太阳能电池等领域得到应用.