CMOS射频前端LNA的设计

作者：尹强; 黄海生; 曹新亮; 杨锐

来源：电子元件与材料, 2018, 37(06): 68-72.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.06.014

• 低噪声放大器
• CMOS
• ADS
• 共源共栅
• 匹配
• 射频

采用TSMC RF CMOS 0.13μm工艺设计了一款共源共栅结构的低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA),该放大器应用于移动通信主流标准TD-SCDMA 2 GHz中。先初步计算电路参数,后经ADS调谐折中选择电路参数。利用安捷伦公司(Agilent)射频EDA平台ADS2009对电路进行仿真。结果表明,该LNA在1.2 V电源电压下,功耗仅为3 mW,正向功率增益为18.96 dB,输入输出匹配均小于-30 dB,噪声系数为1.15 dB,且输入1 dB压缩点为-9 dBm,满足预期的设计要求。

• 单位
  西安邮电大学; 电子工程学院