rGO-Sb2Se3薄膜电化学共沉积制备及光电化学性能

作者：杨海超; 陈建宇; 刘芳洋; 贾明; 蒋良兴^*

来源：中国有色金属学报, 2022, 32(01): 87-99.

• 恒电位沉积
• 硒化锑
• 还原氧化石墨烯
• 光电化学

采用恒电位沉积法，在二元Sb-GO溶液体系中得到rGO-Sb预制层，在此过程中，GO被有效还原成rGO，并与Sb形成化学键。随后通过将预制层进行二段硒化热处理，快速去除多余的Se制备出rGO-Sb2Se3光阴极薄膜。通过XRD、SEM、Raman、XPS、UV-vis及PEC等手段对薄膜样品进行表征以及光电化学性能测试。结果表明：负载rGO使得rGO-Sb2Se3在700 nm以内的可见光区域的光吸收系数显著提升。r GO优良的导电性能及较高的载流子迁移率，可以快速转移电荷，抑制载流子的复合，因此光电化学性能以及光稳定性大大提高，光电流密度增大至接近Sb2Se3单相的2倍(-0.20 m A/cm2)。又因为rGO-Sb2Se3导带位置(-0.74 V vs.RHE)远负于析氢电位(0 V vs.RHE)，故可作为一种新型光还原产氢的阴极，具备广阔的应用前景。

• 单位
  长江存储科技有限责任公司; 中南大学