集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件

作者：汤晓燕; 陈辉; 张玉明; 宋庆文; 张艺蒙

来源：2018-07-04, 中国, ZL201810723450.1.

本发明涉及集成电路领域,公开了一种集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件,其特征在于,包括：衬底(8)；漏极(9),设置在所述衬底(8)下方；N-漂移区(7),设置在所述衬底(8)上方；源极(4),设置在所述N-漂移区(7)上方；N+源区(5),设置在所述源极(4)两侧的所述N-漂移区(7)中；P型基区(6),设置在所述N-漂移区(7)内部；栅源隔离层(3),设置在所述N+源区(5)上方；栅介质(2),栅极(10)；所述源极(4)与所述N-漂移区(7)的界面为肖特基接触。所述器件能够提高器件性能的可靠性,并降低设计的复杂性和成本。

• 单位
  西安电子科技大学