V掺杂AlN的电子结构和铁磁性质研究

作者：刘继荣; 张俊峰

来源：西南师范大学学报(自然科学版), 2010, (02): 17-21.

DOI：10.13718/j.cnki.xsxb.2010.02.013

• V掺杂AlN
• 密度泛函理论
• 电子结构
• 铁磁性 V-doped AlN
• denstiy functional theory
• electronic structure
• ferromagnetism

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,对V掺杂AlN的电子结构和铁磁性质进行了研究.结果表明,V掺杂后,由于V 3d与N 2p轨道杂化在半导体能隙中产生自旋极化杂质带,材料表现出半金属铁磁性,其磁矩主要来自以V原子为中心的VN4四面体.另外,通过对V掺杂AlN的铁磁稳定性的研究发现,V原子之间为铁磁耦合时体系处于稳定的基态,并且有围绕N原子形成团簇的趋势,随着V原子间距离的增加,体系FM和AFM态的能量将趋于简并.

• 单位
  贵州师范大学; 教育科学学院