摘要
利用Fan和Liang (Fan Z Y,Liang H Z 2019 Phys.Rev.D 100 086016)研究一般高阶导数引力复杂度的方法,对临界中性Gauss-Bonnet-anti-de Sitter (Gauss-Bonnet-anti-de Sitter,AdS)黑洞的复杂度演化进行研究,并且将研究结果和一般中性Gauss-Bonnet-AdS黑洞的结果进行了比较.研究发现,二者的复杂度演化的整体规律是一致的,它们的主要区别在无量纲的临界时间上.对于五维的临界中性Gauss-Bonnet-AdS黑洞,当黑洞视界面为平面或者球面时,不同大小的黑洞的无量纲的临界时间相同,都取到了最小值.当维度超过五维时,不同大小的球对称临界中性Gauss-Bonnet-AdS黑洞的无量纲临界时间的差异明显要比一般的情况小.这些差异很可能和中性Gauss-Bonnet-AdS黑洞的临界性有关.