一种氧化物半导体上电极层的刻蚀方法

作者：兰林锋; 徐华; 徐苗; 陶洪; 邹建华; 王磊; 彭俊彪

来源：2012-05-03, 中国, ZL201210135944.0.

本发明实施例公开了一种氧化物半导体上电极层的刻蚀方法,用于实现在氧化物半导体上使用湿刻蚀法直接刻蚀金属的电极。本发明实施例方法包括：在氧化物半导体层上制备含有钼的电极层；使用含有双氧水的刻蚀液对所述含有钼的电极层进行电极的刻蚀。

• 单位
  华南理工大学; 广州新视界光电科技有限公司