高迁移率的钛掺杂氧化铟薄膜在晶硅/非晶硅异质结电池上的应用研究（英文）

作者：黄金^*; 鲍少娟; 鲁林峰; 杨骥; 白焱辉; 张娟; 高勇; 王继磊

来源：稀有金属材料与工程, 2021, 50(03): 848-852.

• 钛掺杂氧化铟
• 透明导电薄膜
• 异质结电池

采用钛掺杂氧化铟旋转靶制备透明导电薄膜应用在晶硅/非晶硅异质结电池上。在不同氧含量下,研究钛掺杂氧化铟薄膜(T100薄膜)的光电性能,同时对比分析ITO薄膜。在电镜下T100薄膜呈现出柱状结构,并且展示出优异的光学性能。T100薄膜最大载流子迁移率可以达到75.6 cm2·(V·s)-1。相比于ITO薄膜,T100薄膜具有优异的电学传导和透光率,因此在异质结电池量产线上电池转换效率可以实现0.26%的提升。

• 单位
  中国科学院; 高等研究院