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摘要
本发明公开了一种非层状二维氧化镓薄膜的制备方法,主要解决现有技术中低维氧化镓薄膜制备困难、性能低下的问题。其实现方案是：1)选用Si/SiO2作为衬底并进行清洗和吹干的预处理；2)选取不同表面积的二维层状材料GaSe或GaS晶体材料并进行表面氧化,制备原子级别厚度的二维β-Ga2O3薄膜；3)选用转印聚合物聚二甲基硅氧烷PDMS或聚甲基丙烯酸甲酯PMMA,将其旋涂到β-Ga2O3表面,用于将二维β-Ga2O3从二维层状材料底物上机械剥离后,再转移到Si/SiO2衬底上。本发明制备的二维β-Ga2O3薄膜原厚度薄面积大,改善了β-Ga2O3材料性质,可用于制备高性能氧化镓电子器件。
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