常关型亚微米沟道1200V SiC MOSFET

作者：黄润华; 陶永洪; 柏松; 陈刚; 汪玲; 刘奥; 卫能; 李赟; 赵志飞

来源：固体电子学研究与进展, 2014, 34(05): 503.

<正>南京电子器件研究所基于自主12um外延和76.2 mm(3英寸)SiC圆片加工工艺,通过介质刻蚀沟道自对准技术,在国内率先实现了导通电流大于5 A的SiC DMOSFET,阻断电压大于1 200 V,阈值电压5 V。