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摘要
为研究不同注量下浮栅存储单元位翻转特点及其翻转截面变化，以及重离子入射导致的多单元翻转，以两款25 nm NAND Flash存储器为载体开展了重离子实验研究。实验结果表明，单个重离子在击中存储单元灵敏体积的情况下足以引起位翻转，位翻转比率随着注量累积基本呈线性变化。由于处于编程状态阈值电压分布低压区的存储单元倾向于在相邻或靠近的地址上集中分布，随着注量累积，这类存储单元数量迅速减少，而其他大量存储单元的翻转数增长率变化不明显，因此位翻转截面随注量累积呈下降趋势。重离子导致两款器件出现多单元翻转，多单元翻转呈现单列、双列以及列间隔等结构。利用离子电离径迹模型估算得到离子电离有效径迹半径，可以判定多单元翻转是由于一个离子的电离有效径迹覆盖了多个存储单元。
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单位西北核技术研究所
