p-Si TFT栅绝缘层用SiN_x薄膜界面特性的研究

作者：张化福; 袁玉珍; 臧永丽; 祁康成

来源：液晶与显示, 2008, (01): 35-38.

• TFT
• SiN_x薄膜
• 界面特性 thin film transistor
• silicon nitride thin films
• interface properties

以NH3和SiH4为反应源气体,在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了SiNx薄膜。系统地分析讨论了沉积温度、射频功率、反应源气体流量比对SiNx薄膜界面特性的影响。分析表明,沉积温度和射频功率主要是通过影响SiNx薄膜中的Si/N比和H含量影响薄膜的界面特性,而NH3/SiH4流量比则主要通过影响薄膜中的H含量影响薄膜界面特性。实验制备的SiNx薄膜层中的固定电荷密度、可动离子密度、SiNx与p-Si之间的界面态密度分别达到了1.7×1012/cm2、1.4×1012/cm2、3.5×1012/(eV.cm2),其界面特性达到了制备高质...

• 单位
  山东理工大学; 电子科技大学; 光电信息学院