本发明公开了一种改进型室温高灵敏SOS衬底太赫兹检测器及其制备方法,其检测器以硅基SOS基片作为衬底,所述衬底上反应离子刻蚀(RIE)的硅探测微桥,所述硅探测微桥两端连接金薄膜电极。本发明还公开了制备所述检测器的方法。本发明的检测器工作于室温,具有高灵敏度,快响应时间,制备简单,同主流硅工艺兼容便于做成大规模阵列芯片的特点,使其在太赫兹材料检测、太赫兹成像等方面具有广泛的应用前景。
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