化学气相渗透碳化硅增强石墨泡沫的温度效应研究

作者:赵俊通; 连鹏飞; 程金星; 宋金亮; 张俊鹏; 赵俊一
来源:炭素技术, 2023, 42(04): 39-43+57.
DOI:10.14078/j.cnki.1001-3741.2023.04.007

摘要

通过化学气相渗透技术,在中间相沥青基石墨泡沫内部沉积了碳化硅涂层;研究了不同沉积温度对碳化硅形貌、晶体结构和强度的影响。结果表明,1 223 K可以制备完整的碳化硅涂层,沉积速率较慢,晶粒尺寸较小;温度超过1 423 K,易在石墨表面沉积生成热解炭,比强度开始下降。低温沉积时,临界形核自由能下降,形成的核芯数目增加,有利于形成晶粒细小而连续的SiC涂层组织,1 273 K和1 373 K温度条件下沉积的SiC涂层较光滑平整,比强度较高。随着沉积温度提高,抗弯强度由1 223 K的1.8 MPa提高到1 473 K的5.4 MPa,比强度由1 273 K的3.40 MPa·cm3/g提高到1 373 K温度下的7.31 MPa·cm3/g。沉积温度超过1 423 K时,沉积的SiC晶粒粒径增加,热解炭比例升高,无定形碳比例增加,比强度有所下降。

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