基于空间限域与基底诱导策略的过渡金属硫属化合物纳米结构的可控制备及其维度调控（英文）

作者：段卓君; 陈涛; 史建伟; 李金; 宋奎; 张婵; 丁素娟; 黎博; 王广; 胡斯桂; 何小月; 何朝宇; 徐华; 刘新风; 金传洪; 钟建新; 郝国林^*

来源：Science Bulletin, 2020, 65(12): 1013-1021.

过渡金属硫属化合物纳米结构的可控制备及其维度调控目前仍然是制约其研究与应用的重要挑战.本工作基于空间限域与基底诱导策略,成功实现了WS2,WSe2,MoSe2,MoS2, WS(2(1-x))Se2x一维与二维纳米结构的选择性生长.在空间限域条件下,揭示出过渡金属硫属化合物一维纳米带在范德瓦尔斯层状基底与非范德瓦尔斯层状基底诱导下的不同生长模式.通过选择不同生长基底进一步实现了纳米带宽度从数十纳米到数微米的有效调控,纳米带的长度则可达100微米以上.结合拉曼光谱、光致发光谱、二次谐波、透射电子电子显微镜、开尔文力显微镜与导电原子力显微镜等多种表征手段对样品的光电特性进行了深入探索.本工作提供了一种过渡金属硫属化合物纳米结构的可控制备及其维度调控的普适策略,研究结果可为其他新型纳米材料与异质结的可控制备、维度调控及其应用研究提供一定的实验依据与理论支撑.

• 单位
  硅材料国家重点实验室; 浙江大学; 陕西师范大学; 中国科学院