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摘要
采用商品化氧化铟锡(ITO)导电玻璃、纳米SnO2水胶体分散液，通过旋涂法制备了高性能SnO2/ITO电极，考察了SnO2旋涂浓度、旋涂量、Triton X-100浓度、煅烧温度对SnO2/ITO电极性能的影响，并优化了缓冲体系、pH、浓度及偏压条件。结果表明，当SnO2水胶体分散液浓度15%、Triton X-100浓度0.01%、煅烧温度450℃时，制备的SnO2/ITO电极具有较高的热稳定性和光电化学性能；草酸-草酸钠缓冲体系有利于光电流的产生，当草酸浓度为30 mmol/L (pH 6.0)、偏压为0.5 V时，可以产生较高的稳态光电流信号，以Ru(bpy)2(dppz)2+为光电化学信号探针，检测限为10 nmol/L。考察了ITO电极的性能差异性，同一批次及不同批次之间的光电流信号一致性相对标准偏差(RSD)在3.9%～5.6%之间。
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