本发明涉及一种集成SBD的碳化硅UMOSFET器件,包括：N+衬底区、N-外延区、P-阱区、N+注入区、栅极、第一P+注入区、第二P+注入区、源极和漏极,其中,第一P+注入区和第二P+注入区的深度大于栅极的深度,源极与N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区的界面为欧姆接触,源极与N-外延区的界面为肖特基接触。本发明在器件内集成了肖特基二极管结构,避免了在应用过程中需要反并联额外的肖特基二极管作为续流二极管,在提升器件续流能力的同时,减小了器件元胞面积,从而降低器件制备成本。
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