摘要

采用化学还原工艺,在CO2与H2混合气氛下对LN和LT晶片分别进行700°C和450°C退火处理,成功地制备了LN和LT黑色晶片。静电位差、光透过率测量结果表明,还原处理后LN和LT晶片的热释电现象基本消失,其光透过率也显著降低。居里温度测试表明,还原处理对晶体的居里温度没有影响。