一种改善溶液法制备的金属氧化物TFT器件性能的方法

作者:宁洪龙; 张旭; 姚日晖; 卢宽宽; 朱镇南; 陈俊龙; 符晓; 周尚雄; 袁炜键; 彭俊彪
来源:2020-04-17, 中国, CN202010303112.X.

摘要

本发明属于印刷电子技术领域,公开了一种改善溶液法制备的金属氧化物TFT器件性能的方法。将金属前驱体溶于醇类溶剂形成前驱体溶液,然后加入H2O2溶液,搅拌混合均匀后静置老化,过滤去除不溶物,超声除泡后旋涂至预处理后的基板上,退火处理,得到有源层;在有源层上制备源漏电极,得到金属氧化物TFT器件。本发明通过加入H2O2,可以解决当前溶液法制备金属氧化物TFT普遍存在的关态电流过大的问题,降低器件功耗。并可以提高薄膜的致密性,提高有源层和其它功能层的接触特性,提高TFT器件性能。