垂直异质集成PIN超大功率限幅器MMIC技术

作者：彭龙新; 戴家赟; 王钊; 贾晨阳; 杨进

来源：固体电子学研究与进展, 2021, 41(02): 161.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2021.02.016

<正>南京电子器件研究所首次提出了 PIN异质集成纵向结构超大高功率限幅器构想,引入现有MMIC限幅器不具有的纵向导电结构和SiC衬底的高导热特性,把Si薄层二极管转移到SiC衬底上,极大地提高了MMIC限幅器的耐功率。根据大功率要求,确定了材料结构N+、P+和I层等参数,设计了工艺方案和加工方法,基于自停止减薄技术实现超薄Si基PIN管芯转移,使用Au-Au热压键合的晶圆级低温异质键合互连技术,制成了超大功率限幅器。限幅器(如图1所示)的面积为3.3 mm×3.1 mm,在频率3.5 GHz下,