温度和气压对InSb薄膜中Sb/In摩尔比的影响

作者：欧琳; 王静; 林兴; 赵勇; 惠一恒; 胡鹏飞; 王广才

来源：半导体技术, 2021, 46(07): 546-552.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.07.009

• InSb
• 摩尔比
• 温度
• 气压
• 真空镀膜

锑化铟(InSb)作为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料广泛应用于红外探测器、霍尔元件等领域。InSb薄膜中Sb/In摩尔比直接影响薄膜的电学、光学等性能。采用真空镀膜方法难以精确控制薄膜中Sb/In摩尔比。采用真空热阻共蒸发的方法制备InSb薄膜,获得不同薄膜温度下InSb薄膜中Sb/In摩尔比与蒸发舟内Sb与In颗粒摩尔比之间的经验公式,真空镀膜的薄膜温度不宜超过200℃。同时,采用高压氮气保护可以有效抑制高温退火后InSb薄膜中Sb的逃逸现象。这为InSb薄膜的真空制备提供了有益的借鉴。

• 单位
  天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室; 南开大学