Sol-gel法制备掺钕钛酸铅铁电薄膜

作者：杨长红; 王卓; 姜付义; 翟剑庞; 仪修杰; 韩建儒

来源：人工晶体学报, 2004, (02): 223-226.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2004.02.022

• sol-gel法
• PNT
• 铁电薄膜 sol-gel method
• PNT
• ferroelectric thin films

采用sol gel法在P型Si(111)衬底上制备了Pb0.85Nd0.1TiO3(PNT)薄膜。用X射线衍射技术研究了退火温度对薄膜结构和结晶性的影响。同时还研究了薄膜的介电、铁电和绝缘性能。结果发现在600℃下退火1h的PNT薄膜呈钙钛矿结构;在0～5V范围内,薄膜的漏电流密度小于1.00×10-5A/cm2;在±5V的偏压范围内,C V记忆窗口宽度为2V;在零电压下,时间保持长达105～106s;在室温100kHz下,其介电常数为31.60,介电损耗为0.12。

• 单位
  晶体材料国家重点实验室; 山东大学