太赫兹固态放大器研究进展

作者：郭方金; 王维波; **飞; 孙洪铮; 周细磅; 陶洪琪

来源：电子技术应用, 2019, 45(08): 19-25.

DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.199801

• 太赫兹
• 固态器件
• 单片放大器

随着半导体技术的发展,晶体管特征频率不断提高,已经进入到太赫兹(THz)频段,使得固态器件可以在THz频段工作。THz放大器可以将微弱的信号进行放大,在THz系统中起着关键作用。介绍了基于氮化镓(Gallium Nitride, GaN)高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor, HEMT)器件、磷化铟(Indium Phosphide, InP) HEMT器件和InP异质结双极晶体管/双异质结双极晶体管(InP Heterojunction Bipolar Transistor/Double Heterojunction Bipolar Transistor, HBT/DHBT)器件的THz单片放大器研究进展。