沟槽栅IGBT深槽工艺研究

作者：罗海辉; 黄建伟; IanDeviny; 刘国友

来源：大功率变流技术, 2013, (02): 8-12.

DOI：10.13889/j.issn.2095-3631.2013.02.004

• 沟槽栅IGBT
• 等离子刻蚀
• Cl2
• 槽型 trench-gate IGBT
• plasma etch
• Cl 2
• trench profile

基于Lam 4420反应离子刻蚀(RIE)设备和Cl2气体开发了适用于沟槽栅IGBT的深槽等离子刻蚀工艺。通过调整HBr、O2和SF6等添加气体含量得到了无底切、底角圆滑、槽壁斜度3°左右、深度6μm的沟槽;通过系统优化气体流量、气压、电极间距和RF功率等工艺参数,得到了<5%的硅片内不均匀性,刻蚀速率可达800 nm/min。在完成CF4/Ar刻蚀和牺牲氧化等后续工艺后,槽型得到进一步改善。

• 单位
  株洲南车时代电气股份有限公司